Samsung Electronics celebra su Memory Tech Day 2023 mostrando nuevas innovaciones para liderar la era de la IA – Samsung Newsroom España

El evento destaca las soluciones de memoria de próxima generación para aplicaciones como la nube, los dispositivos de vanguardia y los vehículos de automoción

Las nuevas tecnologías y productos incluyen HBM3E Shinebolt, LPDDR5X CAMM2

y Detachable AutoSSD para acelerar la innovación de cara a los futuros requisitos de software y hardware

Samsung Electronics líder mundial en tecnología de memoria avanzada, ha celebrado su Memory Tech Day anual, en el que ha presentado innovaciones pioneras en el sector, así como nuevos productos de memoria de próxima generación para aplicaciones, nube, los dispositivos de vanguardia y los vehículos de automoción.

 

El evento, al que han asistido unos 600 clientes, partners y expertos del sector, ha servido de plataforma para que los ejecutivos de Samsung amplíen la visión de la empresa sobre la “Memoria Reimaginada”, exponiendo sus planes a largo plazo para continuar su liderazgo en tecnología de memoria, las perspectivas sobre las tendencias del mercado y los objetivos de sostenibilidad. La compañía también presentó sus nuevas soluciones de memoria: El HBM3E Shinebolt, LPDDR5X CAMM2 y Detachable AutoSSD.

 

Jung-Bae Lee, Presidente y Director del Negocio de Memoria de Samsung Electronics, aprovechó su discurso de apertura para explicar cómo Samsung superará los retos de la era de la hiperescala a través de la innovación en nuevas estructuras de transistores y materiales. Por ejemplo, Samsung está preparando nuevas estructuras tridimensionales para DRAM de menos de 10 nanómetros (nm), lo que permitirá mayores capacidades en un solo chip que pueden superar los 100 gigabits (Gb). Tras su DRAM de 12 nm, que empezó a producirse en masa en mayo de 2023, Samsung está trabajando en su DRAM de 11 nm de próxima generación, que ofrecerá la mayor densidad del sector.

 

También se están desarrollando avances en flash NAND que reducirán el tamaño de las celdas y perfeccionarán las técnicas de grabado de los orificios de los canales, con el objetivo de introducir la NAND vertical de 1.000 capas (V-NAND). El desarrollo de la novena generación de V-NAND de Samsung va por buen camino y ofrecerá el mayor número de capas del sector, basado en una estructura de doble pila. De este modo, la empresa ha conseguido un chip funcional para la nueva V-NAND y tiene previsto iniciar la producción en masa a principios del año que viene.

 

“La nueva era de la IA a hiperescala ha llevado a la industria a una encrucijada en la que la innovación y la oportunidad se cruzan, presentando un momento de gran potencial, a pesar de los desafíos que también conlleva”, dijo Lee. “A través de una imaginación sin fin y una perseverancia implacable, continuaremos nuestro liderazgo en el mercado impulsando la innovación y colaborando con clientes y socios para ofrecer soluciones ante cualquier demanda.”

 

Presentando HBM3E ‘Shinebolt’

Los sistemas en la nube están evolucionando para optimizar los recursos de computación, que requieren memoria de alto rendimiento para manejar capacidades de alta capacidad, ancho de banda y almacenamiento virtual. Aprovechando la experiencia de Samsung en la comercialización de la primera HBM2 de la industria y la apertura del mercado de HBM para computación de alto rendimiento (HPC) en 2016, la compañía ha revelado hoy su DRAM HBM3E de próxima generación, llamada Shinebolt.

 

Shinebolt impulsará la próxima generación de aplicaciones de IA, mejorando el coste total de propiedad (TCO) y acelerando el entrenamiento y la inferencia de modelos de IA en el centro de datos. HBM3E cuenta con una impresionante velocidad de 9,8 gigabits por segundo (Gbps), lo que significa que puede alcanzar tasas de transferencia superiores a 1,2 terabytes por segundo (TBps).

 

Con el fin de permitir pilas de capas más altas y mejorar las características térmicas, Samsung ha optimizado su tecnología de película no conductora (NCF) para eliminar los huecos entre las capas del chip y maximizar la conductividad térmica.

 

Los productos HBM3 8H y 12H de Samsung se encuentran actualmente en fase de producción en serie y las muestras de Shinebolt se están enviando a los clientes. Apoyándose en su fortaleza como proveedor integral de soluciones de semiconductores, la empresa también tiene previsto ofrecer un servicio llave en mano personalizado que combine la próxima generación de HBM, tecnologías avanzadas de envasado y ofertas de fundición.

 

Otros productos destacados en el evento son la DRAM DDR5 de 32 Gb con la mayor capacidad del sector, la primera GDDR7 de 32 Gbps de la industria y la PBSSD a escala de petabytes, que ofrece un importante impulso a las capacidades de almacenamiento para aplicaciones de servidor.

 

Redefinición de los dispositivos Edge mediante potentes factores de forma

Con el fin de procesar tareas intensivas en datos, las tecnologías de IA actuales se están moviendo hacia un modelo híbrido que asigna y distribuye la carga de trabajo entre la nube y los dispositivos de borde. En consecuencia, Samsung presentó una gama de soluciones de memoria que admiten factores de forma de alto rendimiento, alta capacidad, bajo consumo y pequeño tamaño en el borde.

 

Además del primer CAMM2[1] LPDDR5X a 7,5 Gbps del sector ─que se espera que cambie las reglas del juego en la próxima generación de DRAM para PC y portátiles─, la empresa también presentó su DRAM LPDDR5X de 9,6 Gbps, LLW[2] DRAM especializada para IA en dispositivos, almacenamiento flash universal (UFS) de nueva generación y la SSD BM9C1 de célula de cuatro niveles (QLC) de alta capacidad para PC.

 

Allanando el camino hacia el liderazgo en soluciones de memoria para automoción

Con los avances en las soluciones de conducción autónoma, también está aumentando la demanda de DRAM y SSD compartidas de gran ancho de banda y capacidad, que comparten datos con varios procesadores (SoC).  Samsung presentó su AutoSSD desmontable, que permite el acceso a los datos desde una única SSD a múltiples SoC a través del almacenamiento virtual.

 

AutoSSD admite una velocidad de lectura secuencial de hasta 6.500 megabytes por segundo (MBps) con 4 TB de capacidad. Al ser desmontable, la SSD facilita las actualizaciones y ajustes a los usuarios y fabricantes de vehículos. Samsung también presentó soluciones de memoria para automoción como GDDR7 de gran ancho de banda y LPDDR5X con un tamaño de encapsulado más compacto.

 

Tecnología sostenible

Como parte de su compromiso para minimizar el impacto medioambiental, Samsung ha destacado una serie de innovaciones en sus operaciones de semiconductores que contribuirán a aumentar la eficiencia energética para clientes y consumidores.

 

La empresa planea asegurar tecnologías de memoria de consumo que puedan disminuir el consumo de energía en centros de datos, PC y dispositivos móviles, al tiempo que utiliza materiales reciclados en productos SSD portátiles para reducir su huella de carbono. Las soluciones de próxima generación de Samsung, como la PBSSD, también ayudarán a reducir el consumo de energía de los sistemas de servidores, ya que maximizan la eficiencia del espacio y la capacidad de los bastidores.

 

Al tiempo que colabora con las partes interesadas de toda la cadena de valor de los semiconductores, incluidos clientes y socios, el negocio de semiconductores de Samsung seguirá desempeñando un papel activo en la lucha contra los problemas climáticos mundiales a través de su iniciativa de sostenibilidad, “tecnología que hace que la tecnología sea sostenible.”

 

Para obtener más información sobre las soluciones de Samsung Semiconductor y el Samsung Memory Tech Day 2023, visite: https://semiconductor.samsung.com/events/techday-memory-2023/. El resumen del evento se publicará más adelante.

 

 

 

 

 

[1] CAMM: CAMM: Módulo de memoria con compresión.

[2] LLW: E/S ancha de baja latencia.

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